报告题目：氧化物中极化拓扑结构与缺陷的像差校正电子显微学探索

报告人：唐云龙， 中国科学院金属研究所 研究员

报告时间：2024年1月5日 9：30

报告地点：吉林大学中心校区唐敖庆楼B区521报告厅

个人简介

　　唐云龙，中国科学院金属研究所研究员，博士生导师。2008年毕业于四川大学生物医学工程系；2014年博士毕业于在中国科学院金属研究所；2017年赴美国加州大学伯克利分校/劳伦斯伯克利国家实验室从事铁性钙钛矿超晶格薄膜制备及相关的超高分辨电子显微学研究。多年来一直从事功能钙钛矿薄膜的设计与脉冲激光沉积制备及其界面结构的(像差校正)透射电子显微学研究。以具有新功能效应的铁电材料为主要研究对象，以界面结构设计、应变调控为主要研究内容，以像差校正电子显微技术以及在此基础上的定量分析为主要研究手段，在极化通量闭合畴阵列(Flux-Closure)的发现、室温电极化斯格明子(polar skyrmion) 晶格的发现、新型功能梯度纳米结构的构建和定量电子显微学方法等方面取得多项系统性重要研究进展；在Science, Nature, Nature Communications, Nature Materials, Science Advances, Advanced Materials, Acta Materialia, Ultramicroscopy, Advanced Functional Materials, Nano Letters等国际学术期刊上发表论文70余篇。任《中国科学》杂志第四届Science China Chemistry 青年工作委员会委员，入选《Materials Futures》及《中国材料进展》杂志青年编委。曾获国家优秀青年科学基金、辽宁省自然科学一等奖(2/5)、第十六届中国青年科技奖、 沈阳市高层次人才“杰出人才”、中国科学院金属研究所第四届“师昌绪青年科技人才基金”、中国科学院青年创新促进会第六批优秀会员等。

报告简介

　　利用单晶衬底和铁电薄膜之间的失配应变，对铁电薄膜实施应变工程调控，进而能在铁电氧化物薄膜中有效诱导新型铁电极化拓扑结构。其中，极化通量全闭合畴结构阵列、极化涡旋畴和室温电极化斯格明子晶格的调控和发现是近年来铁电极化拓扑结构应变工程调控应用的里程碑，相关极化拓扑结构在高密度存储器和高性能电容器等方面具有潜在应用。本报告将在总结铁性氧化物中相关极化拓扑结构研究的基础上，重点突出可控制备及像差校正透射电子显微学在原子尺度对新型极化拓扑探索研究的重要作用。主要结合本人相关的研究经历，系统梳理在PbTiO3铁电材料为基础的薄膜和多层膜中发现的不同极化拓扑结构——极化全闭合畴阵列、极化斯格明子晶格、极化波阵列等的发现及其伴随的特殊物理性质。强调原子尺度成像以及应变工程调控在上述极化拓扑结构调控研究中的重要作用，探索能够有效实施应变工程调控的新型薄膜制备方法技术，并展望无铅BiFeO3极化体系中诱导类似极化结构的设想等。

主办单位：

36365线路检测中心

物质模拟方法与软件教育部重点实验室