报告题目：新型半导体材料载流子输运表征与器件设计

报告人：林乾乾 教授, 武汉大学物理科学与技术学院

报告时间：2023年7月28日 9:30

报告地点：吉林大学中心校区物理楼333会议室

报告摘要

　　近几年，有机半导体、硫化物、杂化钙钛矿等新型半导体材料被广泛研究。由于其柔性、廉价和性能容易被调控等优点，基于新型半导体的光电器件也取得了日新月异的进展，广泛应用于薄膜太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应晶体管等。相比于硅、锗和砷化镓等传统的无机半导体，新型半导体材料一般更无序和复杂多变，对其光电性能还缺乏系统性认识，在半导体器件上的工作原理也存在一些争议，对于结构性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要。本次报告，主要介绍基于泵浦-探测原理的瞬态微波光电导（TRMC）、深能级缺陷谱（DLTS）等技术应用于新型半导体的载流子动力学研究，主要关注于半导体器件和薄膜中载流子的产生、输运、复合、注入和抽取，还有界面层的调控等核心过程。通过对这些表征结果的分析和理解，进一步应用于光电器件的设计、模拟和优化上。

报告人简介

　　林乾乾，武汉大学物理科学与技术学院教授/博士生导师，博士毕业于澳大利亚昆士兰大学有机光电子中心，之后在英国牛津大学物理系从事博士后研究。2017年回国入职武汉大学物理科学与技术学院，获批国家高层次海外引进人才青年项目、湖北省青年百人等荣誉。主要从事半导体材料光电表征和器件的研究，包括瞬态光谱、载流子动力学和缺陷表征，光电探测器，薄膜太阳能电池和硫化物半导体等。在Nat. Photonics (2), Nat. Energy (4), Appl. Phys. Rev. (3), Nat. Commun. (3), Matter, The Innovation, Adv. Mater. (3), Adv. Energy Mater. (2), Adv. Funct. Mater. (3)和ACS Energy Lett.等期刊发表SCI论文100余篇，文章总引用6900余次，申请国内外专利十余项。

举办单位：

36365线路检测中心

新型电池物理与技术教育部重点实验室