报告题目：氮化镓电子器件动态特性与陷阱物性研究

报告人：邹新波，上海科技大学信息科学与技术学院，研究员

报告时间：2022年6月20日  19:00

腾讯会议：842-624-392

报告摘要

以氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有临界击穿场强高、饱和电子速率高等优点，在能源转换和射频装置等领域显示出其巨大的应用潜力。由于氮化镓材料和器件通常基于蓝宝石，硅等异质衬底通过外延生长的方式获得，氮化镓薄膜当中易出现不同程度的缺陷。受缺陷态的影响，器件在高速开关过程中，会出现导通能力下降等现象。本研究报告围绕氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）展开, 将详细介绍动态特性测试方法，并详细讨论包含电流崩塌、开启电阻提升、阈值电压偏移等动态特性恶化现象。该报告还将介绍本实验室利用深能级瞬态谱仪（DLTS）表征器件深能级陷阱的研究工作。以p-GaN HEMT、Ga2O3 SBD等器件作为例子，讨论陷阱类型、能级深度、俘获截面、陷阱发射时间常数等陷阱物性信息。

报告人简介

邹新波，2014年9月至2017年8月于香港科技大学电子与计算机工程学系担任研究助理教授。2017年9月至今担任上海科技大学信息科学与技术学院助理教授/研究员，创建上海科技大学氮化镓电子器件实验室（ganology.sist.shanghaitech.edu.cn）并任PI。邹博士长期从事第三代半导体氮化镓材料生长、光电子器件及功率器件制备与表征的研究。2018年获上海市东方学者（青年）称号，并获得上海市浦江人才计划资助。邹博士累计发表IEEE EDL, TED, J-EDS, MWTL, APL等电子器件领域相关文章逾50篇，主持与参与多项香港研资局，自然科学基金，上海市科委项目。

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